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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
손명식 (순천대학교 전자공학과)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제12권 제3호
발행연도
2013.1
수록면
23 - 27 (5page)

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This paper is for enhancing the breakdown voltage of MHEMTs with an InP-etchstop layer. Gate-recess structures has been simulated and analyzed for the breakdown of the devices with the InP-etchstop layer. The fully removed recess structure in the drain side of MHEMT shows that the breakdown voltage enhances from 2V to almost 4V and that the saturation current at gate voltage of 0V is reduced from 90mA to 60mA at drain voltage of 2V. This is because the electron-captured negatively fixed charges at the drain-side interface between the InAlAs barrier layer and the $Si_3N_4$ passivation layer deplete the InGaAs channel layer more and thus decreases the electron current passing the channel layer. In the paper, the fully-recessed asymmetric gate-recess structure at the drain side shows the on-breakdown voltage enhancement from 2V to 4V in the MHEMTs.
#Millimeter wave #HEMT #Metamorphic HEMT #MHEMT) #Device simulation #Hydrodynamic transport simulation #Design of Epitaxial layers #Cutoff frequency #Maximum oscillation frequency #Breakdown

목차

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김성찬 / 2006 / 70 nm MHEMT와 DAML 기술을 이용한우수한 성능의 94 GHz 단일 평형 혼합기 / 전자공학회논문지 - SD 43(4):8~15 dbpia Seong-Jin Yeon / 2007 / 610 GHz InAlAs/In0.75GaAs Metamorphic HEMT with an Ultra-Short 15-nm-Gate / Proc. of IEDM 2007 :613~616 google schola 손명식 / 2011 / InAlAs/InGaAs/GaAs 100nm-게이트 MHEMT 소자의 에피 구조 최적화 설계에 관한 연구 / 반도체디스플레이기술학회지 10(4):107~112 dbpia ISE-DESSIS manual / Ver. 9.5 :12~288 google schola Gaudenzio Meneghesso / 1999 / On-state and Off-state Breakdown in GaInAs/InP Composite-Channel HEMT’s with Variable GaInAs Channel Thickness / IEEE Trans. On Electron Devices 46(1):2~9 google schola

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