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대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.6 No.3
발행연도
2006.9
수록면
146 - 153 (8page)

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We have been investigating InGaAs HEMTs as a future high-speed and low-power logic technology for beyond CMOS applications. In this work, we have experimentally studied the role of the side-recess spacing (L<SUB>side</SUB>) on the logic performance of 50 ㎚ In<SUB>0.7</SUB>Ga<SUB>0.3</SUB>As HEMTs. We have found that L<SUB>side</SUB> has a large influence on the electrostatic integrity (or short channel effects), gate leakage current, gate-drain capacitance, and source and drain resistance of the device. For our device design, an optimum value of L<SUB>side</SUB> of 150 ㎚ is found. 50 ㎚ In<SUB>0.7</SUB>Ga<SUB>0.3</SUB>As HEMTs with this value of L<SUB>side</SUB> exhibit I<SUB>ON</SUB>/I<SUB>OFF</SUB> ratios in excess of 10⁴, subthreshold slopes smaller than 90 ㎷/dec, and logic gate delays of about 1.3 ps at a V<SUB>CC</SUB> of 0.5 V. In spite of the fact that these devices are not optimized for logic, these values are comparable to state-of-theart MOSFETs with similar gate lengths. Our work confirms that in the landscape of alternatives for beyond CMOS technologies, InAs-rich InGaAs FETs hold considerable promise.
#HEMT #In< #SUB> #0.7< #/SUB> #Ga< #SUB> #0.3< #/SUB> #As #side-recess spacing #subthreshold-slope #DIBL #I< #SUB> #ON< #/SUB> #/I< #SUB> #OFF< #/SUB> #gate delay

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. PROCESS TECHNOLOGY
Ⅲ. DC AND RF CHARACTERISTICS OF IN0.7GA0.3AS HEMTS
Ⅳ. DISCUSSION AND COMPARISON WITH SI MOSFETS
Ⅴ. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES
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