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논문 기본 정보
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- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE JOUNAL OF SEMICONDUCTOR THCHNOLOGY AND SCIENCE Vol.4 No.3
- 발행연도
- 2004.9
- 수록면
- 240 - 249 (10page)
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In the present paper efforts have been made to optimize InALs/lnGaAs HEMT by enhancing the effective gate voltage (Vo-Voft) using pulsed doped structure from uniformly doped to delta doped for microwave frequency applications and reliability. The detailed design criteria to select the proper design parameters have also been discussed in detail to exclude parallel conduction without affecting the dewice performance. Then the optimized value of Vo-Voft and breakdown voltages corresponding to maximum value of transconductance has been obtained. These values are then used to predict the transconductance and cut-off frequency of the device for different channel depths and gate lengths.
Index Terms-InAlAs/InGaAs heterostructure, delta doped, uniformly doped, pulsed doped, parallel conduction, channel confinement and breakdown, woltage
Index Terms-InAlAs/InGaAs heterostructure, delta doped, uniformly doped, pulsed doped, parallel conduction, channel confinement and breakdown, woltage
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. THEORETICAL CONSIDERATION
Ⅲ. OPTIMIZATION OF DEVICE STRUCTURE
Ⅳ. CONCLUSION
ACKNOWLEDGMENT
REFERENCES
저자소개
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