Fabrication and Characterization of 0.2μm InAlAs/InGaAs Metamorphic HEMT’s with Inverse Step-Graded InAlAs Buffer on GaAs Substrate

Dae-Hyun Kim ,  Sung-Won Kim ,  Seong-Chul Hong 외 4명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2001 .06

Metamorphic InAlAs/InGaAs HEMT 소자의 기술동향

윤형섭 ,  이진희 ,  이경호

[ETRI] 전자통신동향분석

2000 .12

77 ㎓ Power Amplifier MMIC by 120㎚ InAlAs/InGaAs Metamorphic HEMT

김성원 ,  설경선 ,  김경운 외 3명

대한전자공학회 학술대회

2006 .06

35㎚ In_0.52Al_0.48As/In_0.53Ga_0.47As Metamorphic GaAs HEMT의 제작

김영수 ,  이강승 ,  홍윤기 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2006 .11

2차원 Poisson방정식 풀이에 의한 단 채널 InAlAs/InGaAs HEMT의 전류-전압 특성 도출에 관한 해석적 모델

오영해 ,  서정하

전자공학회논문지-SD

2007 .05

역 이중채널 구조를 이용한 전력용 AlGaAs/InGaAs/GaAs P-HEMT의 특성

안광호 ,  정영한 ,  배병숙 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

1996 .11

밀리미터파 응용을 위한 우수한 성능의 50 nm Metamorphic HEMTs

류근관 ,  김성찬

전기전자학회논문지

2012 .06

InAlAs/InGaAs/InP Pseudomorphic HEMT 구조의 오믹접촉 특성연구

윤형섭 ,  이진희 ,  박병선 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

높은 f_max 를 갖는 InGaAs/InAlAs MHEMT 의 Pad 설계

최석규 ,  이복형 ,  이문교 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2005 .11

InAlAs/InGaAs/InP High Electron Mobility Transistor에서 InGaAs 선택 에칭 공정에 관한 연구

장호원 ,  이종람 ,  박해성

한국재료학회 학술발표대회

1999 .01

70 ㎚ T-게이트를 갖는 InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT 소자의 제작 및 특성

김성찬 ,  임병옥 ,  백태종 외 3명

전자공학회논문지-SD

2004 .09

mm파 AlGaAs/InGaAs/GaAs Power PM-HEMT 제작 연구

이성대 ,  허종곤 ,  이일형 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

mm파 AlGaAs / InGaAs / GaAs Power PM-HEMT 제작 연구 ( Fabrication of AlGaAs / InGaAs / GaAs Pseudomorphic HEMT's for mm waves )

이성대 ,  허종곤 ,  이일형 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

InAlAs / InGaAs / InP Pseudomorphic HEMT 구조의 오믹접촉 특성연구 ( A Study on Ohmic Contacts of InAlAs / InGaAs / InP Pseudomorphic )

윤형섭 ,  이진희 ,  박병선 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

InAlAs/InGaAs/GaAs MHEMT 소자의 항복 특성에 관한 연구

손명식

전자공학회논문지-SD

2011 .11

Hot Electron Degradation Effects in 35-㎚ InAlAs/InGaAs Metamorphic HEMT

김성호 ,  최도영 ,  사공현철 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2009 .11

Rf-enhanced InGaAs/InAlAs Uni-traveling-carrier Photodetector

In Gyoo Kim ,  Gyungock Kim ,  Ki Joong Lee

한국통신학회 기타 간행물

2004 .11

InGaAs / InAlAs 다중 양자우물을 이용한 표면 반사형 전광 스위치의 해석 ( Analysis of Surface Reflection All-Optical Switches using InGaAs / InAlAs Multiple Quantum Wells )

최용호 ,  김경환 ,  최우영

전자공학회논문지-SD

2000 .09

Remote-PECVD SiN passivation을 이용한 metamorphic-HEMT의 성능향상

이강민 ,  류시찬 ,  서광석

대한전자공학회 학술대회

2007 .07

p 형 InGaAs - InAlAs 결합양자우물을 이용한 흡수계수스펙트럼의 broadening ( Broadening of Absorption Spectrum in a p - type InGaAs - InAlAs Coupled Quantum Well )

김경환 ,  김성준

전자공학회논문지-D

1997 .03