Fabrication and Characterization of 0.2um T-shaped gate AlGaAs / InGaAs P-HEMTs

배창민 ,  서은성 ,  전영진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

0.15um Gate Pseudomorphic HEMT의 제작 및 특성

김광석 ,  김상호 ,  윤정아 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

Analysis and Modeling for 1-5 Characteristics of HEMT`s

Kwang Mean Pa ,  k

KITE JOURNAL OF ELECTRONICS ENGINEERING

1991 .01

0.25㎛ Gate Pseudomorphic HEMT 의 제작 및 특성 ( Fabrication and Characteristics of 0.25㎛ Gate Pseudomorphic HEMT )

김광석 ,  송용두 ,  강순종 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

게이트 폭의 변화에 따른 P-HEMT의 특성연구 ( Characteristics of Pseudomorphic HEMTs with Various Gate Widths )

강순종 ,  이준서 ,  하정혁 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1993 .10

DC and RF Characteristics of 0.15 um Power Metamorphic HEMTs

Jae Yeob Shim ,  Hyung-Sup Yoon ,  Dong Min Kang 외 2명

[ETRI] ETRI Journal

2005 .12

초저잡음 P-HEMT 제작 및 특성 ( The Fabrication and Characteristics of The Super Low Noise P-HEMT )

정영래 ,  주문철 ,  송용두 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

초저잡음 P-HEMT 제작 및 특성

정영래 ,  주문철 ,  송용두 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

A SIMPLE MODEL for I-V CHARACTERISTICS of HEMTs

Kwang Mean Pa ,  k ,  Kae Dal Kwack

JTC-CSCC : Joint Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications

1988 .01

HEMT의 2차원 수치 해석 ( Two Dimensional Numerical Analysis of HEMT ` s )

김형래 ,  박장우 ,  김한구 외 2명

전자공학회논문지

1989 .11

Hemt 소자 공정 연구 ( A Study on HEMT Device Process )

이종람 ,  이재진 ,  맹성재 외 5명

한국통신학회 학술대회논문집

1989 .01

HEMT 소자 공정 연구 ( A Study on HEMT Device Process )

이종람 ,  이재진 ,  맹성재 외 5명

특정연구 결과 발표회 논문집

1989 .01

0.35μm T-gate 전력용 Pseudomorphic HEMT 제작 연구 ( Fabrication and Characterization of 0.35μm T-shaped Power Pseudomorphic HEMTs )

정철환 ,  김성수 ,  이진구 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

P-HEMT Gate-바이어스 튜닝에 의한 위상동기 마이크로파 발진기 특성분석

정인기 ,  민상보 ,  이영철

대한전자공학회 학술대회

2000 .11

HEMT 소자 공정연구 - Part 3 : 개별소자 제작 및 특성분석 ( A Study on HEMT Device Process - Part 3 : Fabrication of a Discrete Device and its Characteristics )

이종람 ,  이재진 ,  맹성재 외 5명

전자공학회논문지

1989 .11

계단형 게이트 구조를 이용한 AlGN/GaN HEMT의 전류-전압특성 분석

김동호 ,  정강민 ,  김태근

전자공학회논문지-SD

2010 .06

X - 밴드 저잡음 증폭기용 0.25 ㎛ T - 형 게이트 P - HEMT 제작

이강승 ,  정윤하

대한전자공학회 학술대회

2000 .11

약하게 핀치오프된 Cold-HEMT를 이용한 새로운 HEMT 소신호 모델링 기법

전만영

한국정보통신학회논문지

2003 .08

0.25 μm T형 게이트 P-HEMT 제작 및 특성 평가와 MMIC 저잡음 증폭기에 응용 ( Fabrication and characterization of the 0.25 μm T-shaped gate P-HEMT and its application for MMIC low noise amplifier )

김병규 ,  전영진 ,  정윤하

전자공학회논문지-D

1999 .01

N₂O 플라즈마에 의한 AlGaN/GaN HEMT의 누설전류 감소

양전욱

전기전자학회논문지

2007 .12