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저자정보
Fang Wang (China University of Petroleum) Yu Liu (China University of Petroleum) Tian Yu (China University of Petroleum) Cai (China University of Petroleum) Wenfeng Xiang (China University of Petroleum)
저널정보
대한금속·재료학회 Electronic Materials Letters Electronic Materials Letters Vol.20 No.3
발행연도
2024.5
수록면
269 - 274 (6page)
DOI
https://doi.org/10.1007/s13391-023-00469-6

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In recent years, signifi cant attention has been directed toward exploring heterojunctions based on perovskite materials forultraviolet photodetectors. This study focuses on the fabrication of high-quality single-crystal Nb:SrTiO 3 (NSTO) fi lms onSi substrates, achieved through the utilization of a TiN thin fi lm as a buff er layer. The investigation delves into the lateralphotovoltaic effect exhibited by the fi lm. Characterization using X-ray diff raction and high-resolution transmission electronmicroscopy confi rms the exceptional quality of the NSTO fi lm. Notably, the observed position sensitivity attains an impressivevalue of 43.9 mV mm−1. Analysis of the lateral photovoltaic effect reveals response and relaxation times of approximately105.6 ns and 4.49 μs, respectively. Intriguingly, fi tting results for the relaxation time indicate minimal defects withinthe NSTO/TiN/Si heterostructures. These fi ndings underscore the signifi cant potential of NSTO/TiN/Si heterojunctions,presenting a promising avenue for their widespread application in the realm of position change technology.

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