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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제20권 제2호
- 발행연도
- 2019.1
- 수록면
- 85 - 91 (7page)
이용수
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Hydrogenated nanocrystalline Si (nc-Si: H) fi lms were prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition using SiH 4 / H 2 gas. The Si nanocrystallites of the fi lms consisted of Si–H n (n = 1, 2, 3) bonds. The relative fraction of the Si–H bonds affected the size and volume fraction of the crystallites. Hydrogen radicals are essential for the formation of Si nanocrystallites. The Si nanocrystallite size increased from ~ 2.0 to ~ 3.0 nm with an increase in the H 2 fl ow rate from 60 to 90 sccm. At the H 2 fl ow rate of 90 sccm, the fi lm became completely polymeric consisting mainly of Si–H-type bonds.
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