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RF 축전결합형 플라즈마(Capacitively Coupled Plasma, CCP) 장비에서 자발적으로 유도되는 패턴 형성의 조건과 생성 원리를 2차원 입자-셀(particle-in-cell, PIC) 시뮬레이션을 사용하여 관찰하였다. 기존에 전극과 수직인 방향으로 관찰된 패턴과 달리 전극과 평행한 방향으로 발생하는 줄무늬의 생성은 새로운 원리를 통해 이루어지며, 이는 반도체 공정 장비에 사용되는 CCP의 균일성을 유지시키는 목적을 달성하는 데 중요한 역할을 한다. GPU 기반의 병렬화된 PIC 시뮬레이션을 활용하여 전극 형상의 대칭 및 비대칭 경계조건을 가지는 두 가지 다른 구조의 RF CCP에서 패턴 형성을 확인하고 그 원리에 대해서 설명한다. 패턴의 크기는 전자 에너지의 이완 길이 및 이온 충돌 평균 자유 경로와 관련이 있으며, 기체주입구 구멍의 분포를 변화시켜 공간 균일성을 제어하는 방안을 제시한다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 연구 방법
Ⅲ. 결과
Ⅳ. 결론
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