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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
이지예 (청주대학교) 이상렬 (청주대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제19권 제6호
발행연도
2018.12
수록면
423 - 427 (5page)
DOI
https://doi.org/10.1007/s42341-018-0065-1

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Amorphous Si?Zn?Sn?O (a-SZTO) thin fi lm transistors were fabricated using RF magnetron sputtering at diff erent oxygenpartial pressures to investigate how oxygen aff ects the electrical properties and negative bias thermal stress in the a-SZTOchannel. The threshold voltage (V th ) and subthreshold slope increased from 5.49 to 10.21 V and from 0.59 to 0.71 V/decade,respectively as the oxygen pressure was increased. Contrarily, fi eld eff ect mobility (μ FE ) decreased from 18.259 to 11.521 cm 2 /Vs. It was observed that the increase in the oxygen partial pressure changed the electrical performance of the devices, includingthe V th , μ FE , and on current (I on ), mainly due to the decrease in oxygen vacancies. The stability of the device was observedto be enhanced after increasing the oxygen pressure, mainly because there were fewer oxygen vacancies acting as traps.

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