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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제20권 제2호
- 발행연도
- 2019.1
- 수록면
- 175 - 180 (6page)
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On the ZTO system, Si was found to be considered as an oxygen vacancy suppressor due to Si atom having high bonding strength with oxygen. The a-SZTO thin fi lms fabricated with thin-fi lm transistors showed a tendency of decreasing electrical properties as the Si content increased. In addition, various resistances, such as total resistance ( R t ), contact resistance ( R c ), and sheet resistance ( R sh ) depending on Si content were analyzed using transmission line method. It was also found that R sh was increased due to suppressing oxygen vacancies by Si atom. Threshold voltage can be controlled through simple adjustment of Si content and a NOT logic circuit is fabricated through this. In the fabricated two NOT logic circuits, high voltage gain of 11.86 and 9.23 was obtained at V DD = 5 V, respectively. In addition, we found that even more complex NAND and NOR logic circuits work just like truth tables. Therefore, logic circuits fabricated according to simple Si content can be applied to next generation integrated circuits.
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