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자료유형
학술저널
저자정보
김도형 (청주대학교 전자공학과) 김홍배 (청주대학교 반도체공학과)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제14권 제4호
발행연도
2015.1
수록면
25 - 29 (5page)

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In this study, RF magnetron sputtering was used to investigate the relationship between oxygen vacancy and carrier concentration in a GZO film on an amorphous structure. RF power was fixed at 50W and Ar flow was changed on a glass plate to create a thin film at room temperature. The transmittance of Al-adopted amorphous GZO was measured at 85% or higher; therefore, the transmittance was shown to be outstanding in all films. The hall mobility was also shown to be higher at the film showing the high transmittance at a short-wavelength, whereas the optical energy gap was shown to be higher at the film with high oxygen vacancy. The oxygen vacancy at the amorphous oxide semi-conductor increased the optical energy gap while it was not directly involved in increasing the mobility. The oxygen vacancy increases the carrier concentration while lowering the quality of amorphous structure; such factor, therefore affected the mobility. The increase of amorphous property is a direct way to increase the mobility of amorphous oxide semi-conductor.
#energy band gap #oxygen vacancies #amorphous

목차

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C. G. Granqvist / 2007 / Transparent conductors as solar energy materials: A panoramic review / Solar Energy Materials & Solar Cells 91:1529~1598 google schola Zafar S / 1995 / Characterization and analysis of ZnO:Al deposited by reactive magnetron sputtering / J. Vac. Sci. Tech 13:2177~2182 google schola G. N. Advani / 1983 / Stability of SnO2 thin films used for photovoltaic devices / Solar Energy 30(1):71~73 google schola Z. C. Jin / 1988 / Optical properties of sputter-deposited ZnO:Al thin films / J. Appl. Phys 64:5117~5131 google schola W. M. Duncan / 1986 / Photoluminescence and X-ray properties of heteroepitaxial gallium arsenide on silicon / J. Appl. Phys 59:2161~2164 google schola

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