Investigation of the Contact Resistance Between Amorphous Silicon-Zinc-Tin-Oxide Thin Film Transistors and Different Electrodes Using the Transmission Line Method

이병현; Sangmin Han; Sang Yeol Lee

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자료유형: 학술저널

저자정보: 이병현 Sangmin Han Sang Yeol Lee

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제17권 제1호

발행연도: 2016.1

수록면: 46 - 49 (4page)

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A thin film transistor (TFT) has been fabricated using the amorphous 0.5 wt% Si doped zinc-tin-oxide (a-0.5 SZTO) with different electrodes made of either aluminium (Al) or titanium/aluminium(Ti/Al). Contact resistance and total channel resistance of a-0.5SZTO TFTs have been investigated and compared using the transmission line method (TLM). We measured the total resistance of 1.0×102 Ω/cm using Ti/Al electrodes. This result is due to Ti, which is a material known for its adhesion layer. We found that the Ti/Al electrode showed better contact characteristics between the channel and electrodes compared with that made of Al only. The former showed a less contact and total resistance. We achieved high performance of the TFTs characteristic, such as Vth of 2.6 V, field effect mobility of 20.1 cm2V-1s-1, S.S of 0.9 Vdecade-1, and on/off current ratio of 9.7×106 A. It was demonstrated that the Ti/Al electrodes improved performance of TFTs due to enhanced contact resistance.

#Transmission line method #contact resistance #Ti/Al electrodes

참고문헌 (14)

참고문헌 신청

Kenji Nomura / 2004 / Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors / Nature 432(7016):488~492

Hisato Yabuta / 2006 / High-mobility thin-film transistor with amorphous InGaZnO[sub 4] channel fabricated by room temperature rf-magnetron sputtering / Applied Physics Letters 89(11):112123

P. Barquinha / 2008 / The Effect of Deposition Conditions and Annealing on the Performance of High-Mobility GIZO TFTs / Electrochemical and Solid-State Letters 11(9):H248

R. L. Hoffman / 2003 / ZnO-based transparent thin-film transistors / Applied Physics Letters 82(5):733

Elvira M. C. Fortunato / 2008 / High mobility indium free amorphous oxide thin film transistors / Applied Physics Letters 92(22):222103

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