Effect of Annealing Temperature on Enhancement of Electrical Performance and Stability of Amorphous SiZnSnO Thin Film Transistors

변재민; 이상렬

doi:https://doi.org/10.1007/s42341-018-0012-1

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자료유형: 학술저널

저자정보: 변재민 (청주대학교) 이상렬 (청주대학교)

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제19권 제1호

발행연도: 2018.2

수록면: 47 - 52 (6page)

DOI: https://doi.org/10.1007/s42341-018-0012-1

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Amorphous Si doped ZnSnO (a-SZTO) was used to investigate the eff ect of annealing temperature on variation of the electricalperformance and stability of amorphous oxide semiconductors used in thin fi lm transistors. It was observed that by asincreasing the annealing temperature, the electrical characteristics such as fi eld-eff ect mobility (μ FE ), subthreshold swing,and on-to-off current ratio (I on/off ) were enhanced because while the carrier concentration increased the defect decreased. The devices were annealed at 400, 500, and 600 °C. Transfer curves were obtained at 400 and 500 °C, but at 600 °C, aconductive characteristic were revealed because of increased carrier concentration. The negative bias temperature stress(NBTS) was measured at 600 °C. A gate voltage was applied to the devices ? 20 V for 2 h. Threshold voltage shift (ΔV th )was measured to be about 5.6 and 1.59 V at 400 and 500 °C respectively. This enhancement was mainly due in the decreasein defects by annealing. By increasing the annealing temperature, the defect density decreased and stability was enhanced. Transmission line method was used to fi nd the relation between the electrical characteristics and the annealing temperature. The total resistance decreased as the annealing temperature was increased, and showed very good agreement with the resultsof NBTS. In conclusion, the a-SZTO TFT showed the highest electrical performance as well as excellent stability at theannealing temperature of 500 °C.

#Thin fi lm transistor #Amorphous oxide semiconductor #Annealing temperature #SiZnSnO #Transmission line method

참고문헌 (20)

참고문헌 신청

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