The Electrical Characteristics of High Voltage Non Punch Through(NPT) and Field Stop IGBT for Nano Convergence Power Devices

강이구

doi:https://doi.org/10.1007/s42341-018-0048-2

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자료유형: 학술저널

저자정보: 강이구 (극동대학교)

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제19권 제4호

발행연도: 2018.8

수록면: 241 - 244 (4page)

DOI: https://doi.org/10.1007/s42341-018-0048-2

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Power devices was used all of industry, widely because of switching devices. Specially, those devices could be applicableautomotive and energy IT. This paper was proposed a 1500 V class NPT IGBT, in which a planar type was layered on theN-type wafer and the P-type collector was layered on the lower side. It also designed a fi eld stop IGBT, which design processwas similar to that of NPT IGBT but requires N+ to be inserted before layering the collector to create a buff er and layeringthe P-type collector. The electrical characteristics were derived after the design, and threshold voltage and on-state voltagedrop, as well as breakdown voltage of the two devices were compared and analyzed. As a respect of threshold voltage, Weobtained 4.21 and 4.11 V, respectively. And the breakdown characteristic of power devices is one of the most important electricalcharacteristics. The value of that was achieved 1818 and 1811 V, respectively. At last, we obtained 4.10 and 4.01 V ofon state voltage drop, respectively. The comparison results showed that the fi eld stop IGBT device constantly maintained anelectric fi eld at the drift layer due to the N+ buff er layer, indicating a small on-resistance while maintaining the breakdownvoltage in the NPT device. Thus, it is expected to play a signifi cant role as a switching device for high voltage over 1700 Vin the future.

#Field stop #Non punch through #IGBT #Nano convergence #Design and process parameter

참고문헌 (6)

참고문헌 신청

E.-G. Kang / 2002 / A novel lateral trench electrode IGBT for superior electrical characteristics / J. KIEEME 15(9):758

이재인 / 2010 / 트렌치 콜렉터를 가지는 새로운 TIGBT 에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 23(3):190~193

Laska T / 2000 / The field stop IGBT-a new power device concept with a great improvement potential / ISPSD Proceedings :355

안병섭 / 2012 / 고내압 IGBT의 전기적 특성 향상에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 25(3):187~192

J.-S. Lee / 2008 / Shielding region eff ects on a trench gate IGBT / Microelectron. J. 39(1):57

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