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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
강이구 (극동대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제30권 제4호
발행연도
2017.4
수록면
214 - 217 (4page)
DOI
https://doi.org/10.4313/JKEM.2017.30.4.214

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본 논문에서는 N형 웨이퍼에 Planar Type으로 쌓고 아랫면에 P형 Collecter를 쌓은 형태인 1500V급 NPT IGBT 그리고 NPT IGBT와 설계 과정은 비슷하지만 Collecter를 쌓기 전에 N+를 삽입하여 버퍼를 생성한 후 P형 Collecter를 쌓은 필드스톱 IGBT를 설계하였다. 설계한 후 전기적인 특성을 도출하였으며, 동시에 두 소자에 대해서 문턱전압, 온 상태전압 강하 그리고 항복전압에 대해서 비교 분석하였다. 비교한 결과 필드스톱 IGBT 소자가 N+ 버퍼층으로 인하여 드리프트 층에서 전계가 일정하게 유지되어 NPT 소자의 항복전압을 유지하면서 작은 온 저항을 갖는 다는 것을 알수 있었다. 따라서 향후, 1700V 이상의 고전압에 대해서 스위칭 소자로 큰 역할을 할 수 있을 것으로 판단된다.
#IGBT #Non punch through #Filed stop #Breakdown voltage #On state voltage drop

목차

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참고문헌 (6)

참고문헌 신청
undefined / 2002 / A Novel Lateral Trench Electrode IGBT for Suprior Electrical Characteristics / Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 15(9):758~763 Crossref 이재인 / 2010 / 트렌치 콜렉터를 가지는 새로운 TIGBT 에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 23(3):190~193 dbpia T. Laska / 2000 / Proc. The 12th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs :355 google schola 안병섭 / 2012 / 고내압 IGBT의 전기적 특성 향상에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 25(3):187~192 dbpia Jong-Seok Lee / 2008 / Shielding region effects on a trench gate IGBT / Microelectronics Journal 39(1):57~62 Crossref

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