전압형 HVDC(High Voltage Direct Current) MMC(Modular Multilevel Converter)용 고전압 IGBT의 전력손실에 관한 연구

조수억; 송성근

doi:10.5207/JIEIE.2021.35.2.031

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자료유형: 학술저널

저자정보: 조수억 (Seoil University) 송성근 (KETI)

저널정보: 한국조명·전기설비학회 조명·전기설비학회논문지 조명·전기설비학회논문지 제35권 제2호

발행연도: 2021.2

수록면: 31 - 35 (5page)

DOI: 10.5207/JIEIE.2021.35.2.031

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The device (IGBT) of the power converter for the voltage type HVDC MMC is mostly used for the high voltage 4500 [V] IGBT. The lifetime and reliability of IGBTs used in MMC (Modular Converter) is important. However, the power loss related parameters provided by the power semiconductor manufacturers are limited to specific temperature conditions. This results in an error between the simulation value and the measured value.
To verify this, the power loss of the power semiconductor was calculated under the conditions of use, the temperature change of the junction and case was simulated, and the power electronics (IGBT) was opened and measured with an infrared thermal camera to compare the simulated value with the measured value.

#HVDC #IGBT #Junction Temperature #Life Time #MMC #Power Loss

참고문헌 (6)

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William W. Sheng and Ronald P. Colino, Power Electronics Modules Design and Manufacture, CRC PRESS.

Jerry E. Sergent and Al Krum, Thermal Management Handbook for Electronics Assemblies, Mc Graw Hill.

Ryang-Kyu Kim, Sang-Jung Lee, “Technical Trends of HVDC MMC in Power Electronics” Power Electronics Conference pp. 389-390, 2017.

Ji-Hun Kim, Hong-Ju Jung, “MMC type voltage type HVDC control system and converter system technology development status” KIPE MAGAZINE 21(1), 2016.2, 40-47(8 pages).

Su-Eog Cho et al,“Optimal design of power loss for 3 phase voltage source inverter by using thermal management”, Trans. KIEE. Vol. 56. No. 10. OCT. 2007.

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