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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.1
- 수록면
- 496 - 500 (5page)
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본 논문에서는 대용량 전력산업에 스위치로 사용되는 3,000 V급 super junction NPT IGBT 소자를 제안하였으며, 소자 및 공정시뮬레이터를 이용하여 최적의 설계방안을 제시하였다. Super junction 구조는 일반적인 구조에 비해 현저히 낮은 온 저항을 갖기 때문에 대용량에서 발생할 수 있는 낮은 열 특성을 충분히 보완할 수 있는 구조이다. 본 연구에서 제시한 SJ NPT IGBT는 항복전압은 2846 V, 온 전압 강하는 2.52 V, 문턱전압은 4.33 V의 특성을 나타내고 있다. 3,000 V의 항복전압을 달성하지 못했지만, pillar층의 개선으로 3,000 V 이상은 충분히 달성할 수 있을 것으로 판단되며, 본 연구가 지속적이고 성공적으로 수행된다면, 전기자동차 및 고속전철 등에도 활용이 가능할 것으로 판단된다.
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/ 2000 / MOSFET Basics - Fairchild Semiconductor
H. S. Lee / 2006 / / KIEE : 7 ~
심관필 / 2013 / 80 V급 저전력 반도체 소자의 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 26 (3) : 190 ~ 193
이정훈 / 2012 / Deep Trench Filling 기술을 적용한 600 V급 Super Junction Power MOSFET의 최적화 특성에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 25 (4) : 270 ~ 275
홍영성 / 2012 / 600 V급 Super Junction MOSFET을 위한 Field Ring 설계의 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 25 (4) : 276 ~ 281
H. S. Lee / 2006 / / KIEE : 7 ~
심관필 / 2013 / 80 V급 저전력 반도체 소자의 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 26 (3) : 190 ~ 193
이정훈 / 2012 / Deep Trench Filling 기술을 적용한 600 V급 Super Junction Power MOSFET의 최적화 특성에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 25 (4) : 270 ~ 275
홍영성 / 2012 / 600 V급 Super Junction MOSFET을 위한 Field Ring 설계의 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 25 (4) : 276 ~ 281
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