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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제17권 제1호
- 발행연도
- 2016.1
- 수록면
- 50 - 55 (6page)
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In this paper, we have analyzed the electrical characteristics of 1200V trench gate field stop IGBT and have compared to NPT planar type IGBT and NPT planar field stop IGBT. As a result of analyzing, we obtained superior electrical characteristics of trench gate field stop IGBT than conventional IGBT. To begin with, the breakdown voltage characteristic was showed 1,460 V and on state voltage drop was showed 0.7 V. We obtained 3.5 V threshold voltage, too. To use these results, we have extracted optimal design and process parameter and designed trench gate field stop IGBT. The designed trench gate IGBT will use to inverter of renewable energy and automotive industry.
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G. Majumdar / 2007 / Power Conversion Conference proceedings 355
B. J. Baliga / 1996 / Power Semiconductor Devices / PWS Publishing Company
B.Q. Tang / 1997 / The quasi-three-dimensional optimum analysis of breakdown voltage of floating field-limiting rings / Solid-State Electronics 41(11):1821~1824
S.M. Sze / 1966 / Effect of junction curvature on breakdown voltage in semiconductors / Solid-State Electronics 9(9):831~845
S. M. Sze / 2007 / Physics of semiconductor devices / John Wiley & Sons
B. J. Baliga / 1996 / Power Semiconductor Devices / PWS Publishing Company
B.Q. Tang / 1997 / The quasi-three-dimensional optimum analysis of breakdown voltage of floating field-limiting rings / Solid-State Electronics 41(11):1821~1824
S.M. Sze / 1966 / Effect of junction curvature on breakdown voltage in semiconductors / Solid-State Electronics 9(9):831~845
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