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본 논문에서는 플래너 게이트 및 트렌치 게이트의 구조를 동시에 가지고 있는 1200V급 이중 게이트 IGBT 소자를 제안함과 동시에 전기적인 특성을 분석하였으며, 분석된 결과를 가지고 플래너 게이트 및 트렌치 게이트 IGBT 소자의 전기적인 특성과 비교 분석하였다. 이중 게이트 IGBT 소자를 설계하는데 있어 문턱전압 및 온 상태 전압강하에 영향을 주는 P-베이스 영역에 있어 P-베이스에 깊이는 트렌치 게이트 소자 영역에 영향을 주며, P-베이스에 너비는 플래너 게이트 소자 영역에 영향을 주는 것을 확인할 수 있었다. 본 연구에서 제시한 이중 게이트 IGBT 소자의 전기적인 특성인 항복전압은 1467.04V, 온 전압 강하는 3.08V, 문턱전압은 4.14V의 특성을 나타내고 있다.
목차
Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. IGBT의 구조 및 설계
Ⅲ. IGBT의 전기적 특성 분석
Ⅳ. 결론
References
참고문헌 (5)
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[학술지(정기간행물)] - 강이구 / 2002 / 인텔리전트 파워 IC의 구현을 위한 횡형 트렌치 전극형 IGBT의 제작 및 그 전기적 특성에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 15 (9) : 0 ~ 0
[학술지(정기간행물)] - 이재인 / 2010 / 트렌치 콜렉터를 가지는 새로운 TIGBT 에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 23 (3) : 190 ~ 193
[학술지(정기간행물)] - 안병섭 / 2012 / 고내압 IGBT의 전기적 특성 향상에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 25 (3) : 187 ~ 192
[학술지(정기간행물)] - Jong-Seok Lee / 2008 / Shielding region effects on a trench gate IGBT / Microelectronics Journal 39 (1) : 57 ~ 62
[학술지(정기간행물)] - 홍영성 / 2012 / 600 V급 Super Junction MOSFET을 위한 Field Ring 설계의 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 25 (4) : 276 ~ 281
[학술지(정기간행물)] - 이재인 / 2010 / 트렌치 콜렉터를 가지는 새로운 TIGBT 에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 23 (3) : 190 ~ 193
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