Diffusion Currents in the Amorphous Structure of Zinc Tin Oxide and Crystallinity-Dependent Electrical Characteristics

오데레사

doi:https://doi.org/10.4313/TEEM.2017.18.4.225

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자료유형: 학술저널

저자정보: 오데레사 (청주대학교)

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제18권 제4호

발행연도: 2017.8

수록면: 225 - 228 (4page)

DOI: https://doi.org/10.4313/TEEM.2017.18.4.225

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In this study, zinc tin oxide (ZTO) films were prepared on indium tin oxide (ITO) glasses and annealed at different temperaturesunder vacuum to investigate the correlation between the Ohmic/Schottky contacts, electrical properties, and bondingstructures with respect to the annealing temperatures. The ZTO film annealed at 150℃ exhibited an amorphous structurebecause of the electron?hole recombination effect, and the current of the ZTO film annealed at 150℃ was less than that ofthe other films because of the potential barrier effect at the Schottky contact. The drift current as charge carriers was similarto the leakage current in a transparent thin-film device, but the diffusion current related to the Schottky barrier leads to thedecrease in the leakage current. The direction of the diffusion current was opposite to that of the drift current resulting in atwo-fold enhancement of the cut-off effect of leakage drift current due to the diffusion current, and improved performance ofthe device with the Schottky barrier. Hence, the thin film with an amorphous structure easily becomes a Schottky contact.

#Zinc tin oxide #Photo luminance #Diffusion current #X-ray diffraction #Tunneling #Schottky contact

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Gunasekaran Venugopal / 2011 / Temperature dependent transfer characteristics of graphene field effect transistors fabricated using photolithography / Current Applied Physics 11(3):S381~S384

M. Nakano / 2008 / Transparent polymer Schottky contact for a high performance visible-blind ultraviolet photodiode based on ZnO / Applied Physics Letters 93(12):123309

김호경 / 2015 / Electron Transport Mechanisms in Ag Schottky Contacts Fabricated on O-polar and Nonpolar m-plane Bulk ZnO / Transactions on Electrical and Electronic Materials 16(5):285~289

Jer-Chyi Wang / 2010 / Improved characteristics of Gd2O3 nanocrystal memory with substrate high–low junction / Solid-State Electronics 54(12):1493~1496

Du-Won Jeong / 2011 / p-type Conduction in ZnO Nanowire Schottky Field-effect Transistors with Pt Metal Electrodes / Journal of the Korean Physical Society 59(5):3133~3137

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