쇼키 접합을 갖는 박막의 전기적인 특성에 따른 나노반도체구조에 관한 연구

오데레사

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자료유형: 학술저널

저자정보: 오데레사 (청주대학교 반도체공학과)

저널정보: 한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제16권 제1호

발행연도: 2017.1

수록면: 70 - 74 (5page)

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To research the electrical properties of ZnS thin films with various annealing conditions, ZnS was prepared by RF magnetron sputtering system and annealed in a vacuum for 10 minutes. All films were analyzed by the XRD, PL and I-V measurement system. The XRD pattern of ZnS film annealed at $100^{\circ}C$ was shifted to lower 2 theta because of the formation of a depletion region at the interface between a substrate and ZnS thin film, and the capacitance was abruptly increased. However, the pattern of XRD of ZnS film annealed at $100^{\circ}C$ with a Schottky contact was showed the amorphous structure, and the current-voltage characteristics were non-linearly observed by the Schottky contact.

#XRD #Electrical Properties #ZnS #Capacitance

참고문헌 (14)

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오데레사 / 2015 / SiOC 절연박막 특성에 의존하는 ITO 투명박막의 전기적인 특성과 오믹접합의 효과 / 한국재료학회지 25(7):352~357

이상헌 / 2002 / 실리콘을 첨가한 주석 산화물 박막의 전기 화학적 특성 / 한국재료학회지 12(4):240~247

Z. M. Jarzebski / 1976 / Physical Properties of SnO2 Materials I . Preparation and Defect Structure / Journal of the electrochemical Society 123:199~203

GwangpyoChoi / 2003 / Cauliflower Hillock Formation through Crystallite Migration of SnO2 Thin Films Prepared on Alumina Substrates by Using MOCVD / Journal of the Korean Physical Society 43(6):967~971

Paranjape MA / 2002 / Metal-organic chemical vapour deposition of thin films of cobalt on different substrates: study of microstructure / Thin Solid Films 413(1-2):8~15

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