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자료유형
학술저널
저자정보
이진선 (가천대학교 전기공학과) 강태영 (파워큐브세미[주]) 김경환 (가천대학교 전기공학과)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제14권 제1호
발행연도
2015.1
수록면
27 - 30 (4page)

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SiC based Schottky barrier diodes were prepared by using the facing targets sputtering method. In this research, 4H-SiC polytypes of SiC were adopted and Molybdenum, Titanium was employed as the Schottky metal of the metal-semiconductor contacts. Both structures showed the rectifying nature in their forward and reverse J-V characteristic curve and the ideality factors calculated from these plots that were close to unity were represented the nearly ideal behavior. Difference of Schottky barrier height between prepared devices was also corresponding with the electrical characteristics of themselves. Therefore the suitability of the facing targets sputtering method for fabrication of Schottky diodes could be suggested from these results.
#Silicon carbide #Facing Targets sputtering #Schottky barrier diode #Schottky diode parameter

목차

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참고문헌 (14)

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S. K. Gupta / 2011 / Improved electrical parameters of vacuum annealed Ni/4H-SiC(0001)Schottky barrier diode / Phys. B Condens. Matter 406(15?16):3030~3035 google schola K. V. Vassilevski / 2006 / High Temperature Operation of Silicon Carbide Schottky Diodes with Recoverable Avalanche Breakdown / Materials Science Forum 527?529(1):931~934 google schola A. Itoh / 1995 / High performance of high-voltage 4H-SiC Schottky barrier diodes / IEEE Electron Device Lett 16(6):280~282 google schola B. J. Baliga / 2009 / Advanced Power Rectifier Concepts / Springer US google schola B. J. Baliga / 2008 / Fundamentals of Power Semiconductor Devices / Springer US google schola

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