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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2019.1
- 수록면
- 70 - 73 (4page)
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It was confirmed that current flowing in thin films below nm increases conductivity in diffusion currents by holes rather than electric currents by electrons. ZTO thin film, which was heat treated at $150^{\circ}C$, increased electron concentration, and thus increased capacitances. However, it was found that low current movement would be difficult as the degree of movement was reduced. Therefore, it was found that diffusion currents were more advantageous than drift currents by electrons in order to allow low current to be produced in very thin films of nm class.
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윤길상 / 2018 / 고성능 TFT 소자 응용을 위한 폴리스티렌 나노입자를이용한 나노 그물망 제작공정 개발 / 반도체디스플레이기술학회지 17(3):36~40
이상헌 / 2002 / 실리콘을 첨가한 주석 산화물 박막의 전기 화학적 특성 / 한국재료학회지 12(4):240~247
Z. M. Jarzebski / 1976 / Physical Properties of SnO2 Materials I . Preparation and Defect Structure / Journal of the electrochemical Society 123:199~203
이성훈 / 2017 / 고연색 LED용 적색 Sr2Si5N8:Eu2+ 형광체의 합성 및 발광 특성 연구 / 반도체디스플레이기술학회지 16(4):11~15
Paranjape MA / 2002 / Metal-organic chemical vapour deposition of thin films of cobalt on different substrates: study of microstructure / Thin Solid Films 413(1-2):8~15
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