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저자정보
신예지 (한양대학교) 백상현 (한양대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2024년도 대한전자공학회 하계학술대회 논문집
발행연도
2024.6
수록면
913 - 917 (5page)

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This study primarily investigates the correlations between doping concentration changes, Fermi level shifts, and Schottky Barrier Height (SBH) based on experimental data from proton irradiation on GaN-based Schottky diodes. Furthermore, this methodology was applied to a silicon-based Schottky model, extending the research findings. By doing so, it establishes a foundation for predicting the performance of semiconductor devices across different materials.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 구현
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌

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