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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.6
- 수록면
- 105 - 109 (5page)
- DOI
- https://doi.org/10.6111/JKCGCT.2017.27.3.105
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고주파 유도 가열 장치를 이용하여 승화법으로 성장된 AlN 단결정을 질소 분위기 하에서 1200 o C와 1500 o C에서열처리하였다. 열처리 후 단결정 시편들의 표면을 광학현미경으로 관찰하였으며, DCXRD(Double crystal X-ray Diffractometry) 를 이용하여 FWHM(Full width of half maximum) 값을 측정하여 결정성의 변화를 평가하였다.
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강승민 / 2017 / PVT 법으로 성장된 AlN 단결정의 열처리 공정에 대한 연구 / 한국결정성장학회지 27(2):65~69
Z. Wang / 2016 / Single-crystal-like GdNdOx thin films on silicon substrates by magnetron sputtering and high-temperature annealing for crystal seed layer application / AIP Advances 6:065221
주영준 / 2015 / 투과전자현미경과 전자후방산란회절을 이용한 AlN의 미세구조 분석 / 한국결정성장학회지 25(4):127~134
K. Takashi / 2015 / Thermal annealing effects on ultraviolet luminescence properties of Gd doped AlN / J. of Appl. Phys. 117:63105~63101
C. H. Lin / 2017 / Fabrication of high-crystallinity a-plane AlN films grown on r-plane sapphire substrates by modulating buffer-layer growth temperature and thermal annealing conditions / J. of Crystal Growth 468:845
Z. Wang / 2016 / Single-crystal-like GdNdOx thin films on silicon substrates by magnetron sputtering and high-temperature annealing for crystal seed layer application / AIP Advances 6:065221
주영준 / 2015 / 투과전자현미경과 전자후방산란회절을 이용한 AlN의 미세구조 분석 / 한국결정성장학회지 25(4):127~134
K. Takashi / 2015 / Thermal annealing effects on ultraviolet luminescence properties of Gd doped AlN / J. of Appl. Phys. 117:63105~63101
C. H. Lin / 2017 / Fabrication of high-crystallinity a-plane AlN films grown on r-plane sapphire substrates by modulating buffer-layer growth temperature and thermal annealing conditions / J. of Crystal Growth 468:845
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