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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
정준기 (강릉원주대학교) 하태권 (강릉원주대학교)
저널정보
한국소성·가공학회 소성·가공 소성가공 제29권 제1호(통권 제185호)
발행연도
2020.2
수록면
44 - 48 (5page)

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Aluminum nitride (AlN), as a substrate material in electronic packaging, has attracted considerable attention over the last few decades because of its excellent properties, which include high thermal conductivity, a coefficient of thermal expansion that matches well with that of silicon, and a moderately low dielectric constant. AlN films with c-axis orientation and thermal conductivity characteristics were deposited by using Pulsed Laser Deposition (PLD). The epitaxial AlN films were grown on sapphire (c-Al₂O₃) single crystals by PLD with AlN target and Y₂O₃ doped AlN target. A comparison of different targets associated with AlN films deposited by PLD was presented with particular emphasis on thermal conductivity properties. The quality of AlN films was found to strongly depend on the growth temperature that was exerted during deposition. AlN thin films deposited using Y₂O₃-AlN targets doped with sintering additives showed relatively higher thermal conductivity than while using pure AlN targets. AlN thin films deposited at 600℃ were confirmed to have highly c-axis orientation and thermal conductivity of 39.413 W/mK.

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
3. 결과 및 토의
4. 결론
REFERENCES

참고문헌 (11)

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