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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제28권 제11호
발행연도
2015.1
수록면
711 - 714 (4page)

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HVPE법으로 AlN 막을 성장하였다. 고품질의 AlN 막을 얻기 위해서 AlN 나노구조 기판 위에서 성장하였다. 성장된 AlN 막의 두께는 약 4 um이고, 표면은 균열 없이 성장되었다. 빠른 성장률로 인해서 표면에 hillock이 생성되었지만, AlN 막은 수평성장을 하였다. AlN 막과 AlN nanopillar 층 사이에 air void는 보이지 않았지만 나노구조의 영향으로 XRC(002)&(102)는 30~40%까지 개선되었다. 뿐만 아니라 AlN 막의 응력도 없는 상태로 제어할 수 있었다.
#AlN #Nano structure #HVPE #Refractive index

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H. Hirayama / 2009 / / Phys. Status Solidi C S5 : S356 ~ google schola K. Fujita / 2011 / / Phys. Status Solidi C 5 : 1483 ~ google schola M. Balaji / 2012 / / J. Alloys Comp. 526 : 103 ~ google schola T. Nagashima / 2007 / / J. Crystal Growth 305 : 355 ~ google schola V.Y.U. Davydov / 1998 / / Phys. Rev. B : 12899 ~ google schola

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