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논문 기본 정보

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저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제25권 제1호
발행연도
2015.1
수록면
32 - 34 (3page)

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PVT(Physical vapor transport)법으로 벌크형 종자 결정을 이용하여 AlN 단결정을 성장 시켰다. 성장과정은 고주파 유도 가열 코일을 이용한 방법으로 진행되었다. 카본 도가니의 하단에 원료 분말을 장입하고 종자 결정은 도가니의 상부에 부착하였다. 성장 조건으로 온도는 2000~2100oC 사이에서 이루어 졌으며 챔버내 압은 1 × 10−1~200 Torr로 유지하였다. 또한 가열 위치를 결정짓는 hot-zone 조절이 성장의 시간이 진행됨에 따라 수정되었다. 이러한 조건하에 약 600시간 성장시킨 결과로 장축 직경 17 mm 두께 7 mm의 AlN 단결정이 얻어졌으며, Laue X-Ray 장치을 이용하여 성장된 결정의 방향을 조사한 결과 R방향[011]으로 성장 되었음을 알 수 있었다.
#AlN #Single crystals #PVT #Physical Vapor Transport) #Growing

목차

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참고문헌 (7)

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D. Sichea / 2011 / PVT growth of GaN bulk crystals / J. Cryst. Growth 318 : 406 ~ google schola E.N. Mokov / 2005 / Sublimation growth of AlN bulk crystal in Ta crucible / J. Cryst. Growth 281 : 93 ~ google schola F. Krzy?ewski / 2014 / 4H-SiC surface structure transitions during crystal growth following bunching in a fast sublimation process / J. Cryst. Growth 401 : 511 ~ google schola T. Baker / 2014 / Hydride vapor phase epitaxy of AlN using a high temperature hot-wall reactor / J. Cryst. Growth 403 : 29 ~ google schola 강승민 / 2008 / Growth of AlN crystals by the sublimation process / 한국결정성장학회지 18 (2) : 68 ~ 71 google schola

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