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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.11
- 수록면
- 379 - 379 (1page)
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Aluminum nitride (AlN) film is an important material with many potential applications, because of its wide band gap (6.2 eV), high dielectric strength, high temperature stability, chemical inertness, high thermal conductivity, and high acoustic velocity. Further, AlN films have also been used as buffer layers for stabilization and adhesion of the cubic boron nitride (c-BN) films. AlN films have been grown on silicon substrates using different growth techniques such as chemical vapor deposition (CVD), reactive sputtering, plasma assisted molecular beam epitaxy, and pulsed laser ... 전체 초록 보기
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