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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제21권 제5호
- 발행연도
- 2020.1
- 수록면
- 519 - 523 (5page)
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High-quality AlN films were sputtered onto c-Al2O3 substrates by reactive-gas pulsed sputtering deposition. The plasma power was varied from 300 to 800 W, and AlN fi lms were sputtered at room temperature. AlN layer with a Full-Width at Half-Maximum (FWHM) at 1120 arcsec X-ray diff raction was achieved at the plasma power of 600 W. However, the AlN fi lms revealed considerable residual compressive strain. The cause of the residual strain was discussed from the various points of view including surface color, Al-content in the film, residual strain and XRD FWHM, as well as the metallic cluster density. All results can be explained in terms of increase of Al-clustering especially at high sputtering power condition.
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