Dielectrically Modulated Hetero Channel Double Gate MOSFET as a Label Free Biosensor

Soumya S. Mohanty; Sikha Mishra; Meryleen Mohapatra; Guru Prasad Mishra

doi:https://doi.org/10.1007/s42341-021-00334-z

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저자정보: Soumya S. Mohanty (Siksha ‘O’ Anusandhan Deemed to be University) Sikha Mishra (Siksha ‘O’ Anusandhan Deemed to be University) Meryleen Mohapatra (Siksha ‘O’ Anusandhan Deemed to be University) Guru Prasad Mishra (National Institute of Technology)

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제23권 제2호

발행연도: 2022.4

수록면: 156 - 163 (8page)

DOI: https://doi.org/10.1007/s42341-021-00334-z

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A dielectric modulation (DM) highly sensitive InP/InGaAs/InP hetero channel dual material double gate MOSFET (H-DMDG MOSFET) is designed and simulated for accurate identifi cation of the bio-targets such as protein, streptavidin, uricase, biotin, APTES, and Keratin. Group III?V based materials are considered for biosensor design for its chemical inertness, high temperature/power ability, and high carrier velocity. Nanogap cavity is incorporated near the source and drain ends within the gate dielectric for sensing the neutral and charged analytes. The simulated parameters of the proposed structure are analyzed by varying dielectric constant and the charge density of the biomolecules. The infl uence of both the biomolecules on the electrical features like surface potential, drain current, electric fi eld, and sensitivity have been examined. The highest sensitivity of 0.513 and a lower electric fi eld of 1.98 × 10 6 V/cm is attained at the drain end for K = 8 as compared to other biomolecules.

#Biomolecule #Biosensors #Dielectric modulation #Sensitivity #Threshold voltage

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Guru Prasad Mishra

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