메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류
인문학
인문학 일반 역사학 철학 종교학 어문학 기타 인문학
사회과학
사회과학 일반 경영학 관광학 교육학 군사학 문헌정보학 법학 사회학 신문방송학 심리과학 정치외교학 지리학 행정학 경제학 무역학 인류학 기타 사회과학
자연과학
자연과학 일반 물리학 생물학 생활과학 수학·통계학 천문학 지구과학 화학 기타 자연과학
공학
공학 일반 건축공학 기계공학 산업공학 재료·에너지공학 전기전자공학 조선해양공학 화학공학 컴퓨터학 기타공학
의약학
의학 일반 간호학 수의학 약학 한의학 기초의학 임상의학 기타 의약학
농수해양학
농수해양학 일반 농학 수산학 식품과학 임학 축산학 해상운송학 기타 농수해양학
예술체육학
예술 일반 디자인 미술 미용 사진 음악학 의상 체육 공연매체예술 기타 예술체육학
복합학
학제간연구 과학기술학 뇌인지과학 기술정책 기타 복합학

ENG

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Jonghwan Lee (Sangmyung University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.21 No.1
발행연도
2021.2
수록면
39 - 48 (10page)
DOI
10.5573/JSTS.2021.21.1.039

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

초록· 키워드

오류제보하기
The physics-based compact gate and drain current noise models of nanoscale MOSFETs at low frequencies are presented. The models are primarily developed to be implemented in circuit simulators and are further applied to gain insight into the noise behavior of advanced MOSFETs. For a comprehensive evaluation of noise performance at low frequencies, the models describe all the important physical noise sources and effects which are observed in nanoscale MOSFETs with ultrathin gate oxides. The models account for the gate leakage current noise, the drain current noise, cross correlation effects between the gate and the drain, and quantum mechanical (QM) effects in the inversion layer. With the help of an accurate and generally applicable compact noise models, the compact noise models are successfully implemented into BSIM (Berkeley Short-channel IGFET Model) format and are validated through a comparison of simulation results and measurements.
#Gate leakage current noise #drain current noise #nanoscale MOSFETs #ultrathin gate oxides #cross correlation effects #quantum-mechanical effects #BSIM

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. GATE LEAKAGE CURRENT AND NOISE MODELS
III. DRAIN CURRENT AND COMPACT NOISE MODELS
IV. CONCLUSION
REFERENCES

참고문헌 (23)

참고문헌 신청
Y. S. Singh, et al, “BSIM6: analog and RF compact model for bulk MOSFET,” IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 61, No. 2, pp. 234-244, 2014 google schola C. Gupta, H. Agarwal, R. Goel, C. Hu, and Y. S. Chauhan, “Improved modeling of bulk charge effect for BSIM-BULK mode, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 66, No. 6, pp. 2850-2853, 2019 google schola A. Dasgupta, et al, “BSIM compact model of quantum confinement in advanced nanosheet FETs,” IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 67, No. 2, pp. 730-737, 2020 google schola J. H. Lee and D. K. Hong, “Charge-based quantum correction noise model in nanoscale MOSFET, Journal of Semiconductor Technology and Science, Vol. 19, No. 1, pp. 50-62, 2019 google schola M. B. da Silva, T. H. Both, H. P. Tuinhout, A. Z. Duijnhoven, G. I. Wirth, and A. J. Sholten, “A Compact statistical model for the low-frequency noise in halo-implanted MOSFETs: large RTN induced by halo implants,” IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 66, No. 8, pp. 3521-3526, 2019 google schola

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0