Planar MOSFET에서 측정을 통한 순수한 Gate Induced Drain Leakage (GIDL) 추출 방법

전상빈 ,  유성원 ,  이현슬 외 5명

대한전자공학회 학술대회

2015 .06

시뮬레이션을 통한 MOSFET 산화막 내부트랩의 영향 비교분석

이현슬 ,  유성원 ,  서영수 외 5명

대한전자공학회 학술대회

2015 .06

GIDL 전류 RTN을 발생시키는 트랩 특성에 대한 통계적 분석

유성원 ,  서영수 ,  이현슬 외 5명

대한전자공학회 학술대회

2015 .06

Comparison of GIDL mechanism between MOSFET and FinFET

Duckseoung Kang ,  Dokyun Son ,  Hyunsuk Kim 외 2명

ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications

2015 .06

MOSFET에서 트랩의 전계와 SRH 전류 변화에 따른 TAT GIDL 전류 변화 분석 및 검증

고결 ,  유성원 ,  고형우 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2015 .11

FeFET의 국소 분극을 활용한 Gate Induced Drain Current(GIDL) 전류 억제 방법

곽빈 ,  김상우 ,  권기륜 외 6명

대한전자공학회 학술대회

2024 .06

전력 MOSFET용 멀티 게이트 구동 회로 연구

김기현 ,  김형우 ,  이경호 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

2017 .07

정확환 Field Enhancement Factor를 고려하여 트랩 종류에 따른 트랩사이 거리 추출

전현옥 ,  유성원 ,  이현슬 외 5명

대한전자공학회 학술대회

2015 .06

유도성 기생성분에 의한 드레인전류응답지연을 포함한 SOI MOSFET 고주파모델

김규철

한국전자통신학회 논문지

2018 .10

I 형 게이트 내방사선 n-MOSFET 구조 설계 및 특성분석

이민웅 ,  조성익 ,  이남호 외 2명

한국정보통신학회논문지

2016 .10

Low Frequency Noise Modeling and SPICE Implementation of Nanoscale MOSFETs

Jonghwan Lee

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2021 .02

Vertical GaN Reverse Trench-Gate Power MOSFET and DC-DC Converter

Nilesh Kuma ,  Jaiswal ,  V. N. Ramak 외 1명

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2021 .01

Exploration of Linearity Analysis in Nanotube GAA MOSFET Through Simulation-Based Study Utilizing Multi-Material Gate Technique

Biswajit Jena ,  K ,  utideepa Bhol 외 1명

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2024 .08

Tapered gate oxide 구조를 갖는 1.2 kV SiC MOSFET(TOX-MOSFET)의 전기적 특성 분석

윤효원 ,  김채윤 ,  박영은 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

2022 .10

Analysis of Gate Induced Drain Leakage in PMOS SiGe FinFETs under Various Dit Conditions

Hyunsuk Kim ,  Dokyun Son ,  Sangbin Jeon 외 2명

ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications

2015 .06

플로팅 아일랜드 구조의 전력 MOSFET의 전기적 특성 분석

강이구

전기전자재료학회논문지

2016 .01

1200V급 SiC 기반 트렌치 게이트 MOSFET의 전기적 특성에 관한 연구

김유림 ,  이동현 ,  김민서 외 2명

전기전자학회논문지

2023 .03

Ⅲ-Ⅴ화합물 반도체 기반 Triple Gate MOSFET과 Gate All Around Nanowire NMOSFET의 성능 비교

문성일 ,  윤석현 ,  김정훈 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2015 .11

SiC Mosfet’s Application

Simon Kim

전력전자학회 학술대회 논문집

2018 .07

총 이온화 선량 시험에 대한 P 채널 MOSFET의 전기적 특성 변화 연구

최나연 ,  장성욱

한국기계가공학회 춘추계학술대회 논문집

2022 .04