기판 온도에 따른 수소화된 Al-doped ZnO 박막의 특성 변화

탁성주; 강민구; 이승훈; 김원목; 임희진; 김동환

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자료유형: 학술저널

저자정보: 탁성주 (고려대학교 신소재공학과) 강민구 (고려대학교 신소재공학과) 이승훈 (한국과학기술연구원 재료연구부 박막재료연구센터) 김원목 (한국과학기술연구원 재료연구부 박막재료연구센터) 임희진 (고려대학교 신소재공학과) 김동환 (고려대학교 신소재공학과)

저널정보: 한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제17권 제12호

발행연도: 2007.1

수록면: 629 - 633 (5page)

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연구결과

이 논문의 연구 히스토리 (5)

2009

다단계 습식 식각을 통한 수소처리된 Al-doped ZnO 박막의 특성

탁성주 , 강민구 , 박성은 외 3명 한국재료학회지 2009.01 학술저널

2007

수소처리에 따른 이종접합 태양전지용 Al-doped ZnO 박막의 특성

탁성주 , 강민구 , 김원목 외 3명 한국신·재생에너지학회 학술대회 초록집 2007.11 학술대회자료

수소화된 ZnO:Al 박막 특성연구

탁성주 , 이승훈 , 김원목 외 1명 한국신·재생에너지학회 학술대회 초록집 2007.06 학술대회자료

기판 온도에 따른 수소화된 Al-doped ZnO 박막의 특성 변화

탁성주 , 강민구 , 이승훈 외 3명 한국재료학회지 2007.01 학술저널

수소처리에 따른 ${\mu}c-Si$ 박막 태양전지용 Al-doped ZnO 박막의 특성

탁성주 , 강민구 , 이승훈 외 4명 한국재료학회 학술발표대회 2007.01 학술대회자료

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This study examined the effect of growth temperature on the electrical and optical properties of hydrogenated Al-doped zinc oxide (AZO:H) thin films deposited by rf magnetron sputtering using a ceramic target (98 wt.% ZnO, 2 wt.% $Al_2O_3$). Various AZO films on glass were prepared by changing the substrate temperature from room temperature to $200^{\circ}C$. It was shown that intentionally incorporated hydrogen plays an important role on the electrical properties of AZO : H films by increasing free carrier concentration. As a result, in the 2% $H_2$ addition at the growth temperature of $150^{\circ}C$, resistivity of $3.21{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$, mobility of $21.9cm^2/V-s$, electric charge carrier concentration of $9.35{\times}10^{20}cm^{-3}$ was obtained. The AZO : H films show a hexagonal wurtzite structure preferentially oriented in the (002) crystallographic direction.

#Al-doped ZnO #Rf Magnetron sputter #TCO #Hydrogenated

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