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Aluminuim doped zinc oxide(ZnO:AL)Films have been prepared on Polyimide(PI) and Corning 7059 glass substrates by r.f. magnetron sputtering method. The structural of the ZnO:Al films were studied in accordance with various deposition R.F power and working pressure by XRD, SEM. And The electrical and optical properties of ZnO:Al films were characterized by Hall effect and U/V visible spectrophotometer measurements. ZnO:Al films had were hexagonal wurtzite structure and dominant c-axis orientation. The R.f power and working pressure for optimum condition to fabricate the transparent conductive films using a PI substrate were 2 mTorr and 100 W, respectively. The resistivity of the ZnO:Al films prepared under this condition were 9.6×10-4 Ωcm. The optical transmittance of 400 nm thick films at 550 nm is ∼85 %.

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