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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제11권 제2호
- 발행연도
- 2010.1
- 수록면
- 81 - 84 (4page)
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Al-doped ZnO (AZO) films were prepared by an Ar:H2 gas radio frequency (RF) magnetron sputtering system with a AZO (2 wt·% Al2O3) ceramic target at the low temperature of 100°C and annealed in hydrogen ambient at the temperature of 300°C. To investigate the influence of the H2 flow ratio on the properties of the AZO films, the H2 flow ratio was changed from 0.5% to 2%. As a result, the AZO films, deposited with a 1% H2 addition, showed a resistivity of 11.7 × 10-4 Ω·cm. When the AZO films were annealed at 300°C for 1 hour in a hydrogen atmosphere, the resistivity decreased from 11.7 × 10-4 Ω·cm to 5.63 × 10-4 Ω·cm. The lowest resistivity of 5.63 × 10-4 Ω·cm was obtained by adding 1% hydrogen gas to the deposition and annealing process. The X-ray diffraction patterns of all the films showed a preferable growth orientation in the (002) plane. The spectrophotometer measurements showed that the transmittance of 85% was obtained by the film deposited with the H2 flow ratio of 1% at 940 nm for GaAs/GaAlAs LEDs.
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