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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김종욱 (청주대학교 전자공학과) 김홍배 (청주대학교 전자정보공학부)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제9권 제4호
발행연도
2010.1
수록면
77 - 81 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (5)

2010

RF magnetron sputtering법으로 형성된 ZnO 박막의 투명박막트랜지스터 특성 연구
김종욱 ,  황창수 ,  김홍배 한국진공학회 학술발표회초록집 2010.02 학술대회자료
RF magnetron sputtering법으로 형성된 ZnO 박막의 RF 파워 및 공정 압력이 미치는 영향
김종욱 ,  황창수 ,  김홍배 한국진공학회 학술발표회초록집 2010.02 학술대회자료
RF magnetron sputtering법으로 제조한 Al doped ZnO 박막의 산소함량과 압력변화에 따른 전기적 특성 변화
김종욱 ,  김홍배 반도체디스플레이기술학회지 2010.01 학술저널
RF magnetron sputtering법으로 형성된 ZnO 박막의 투명반도체 특성
김종욱 ,  황창수 ,  김홍배 반도체디스플레이기술학회지 2010.01 학술저널

2009

RF magnetron sputtering 법으로 제조한 ZnO 박막의 RF 파워에 따른 특성
김종욱 ,  김민석 ,  이인환 외 4명 한국진공학회 학술발표회초록집 2009.02 학술대회자료

초록· 키워드

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The AZO thin films were deposited on the corning 1737 glass plate by the RF magnetron sputtering and effects of working pressure and oxygen contents on the electrical properties were investigated. XRD spectra showed a preferred orientation along the c-axis and a minimum FWHM for the 70mTorr. From the surface analysis (AFM), the number of crystal grain of AZO thin film increased as working pressure increased. The film deposited with 70mTorr of working pressure showed n-type semiconductor characteristic having suitable resistivity $-1.59{\times}10^{-2}{\Omega}cm$, carrier concentration $-10.1{\times}10^{19}cm^{-3}$, and mobility $-4.35cm^2V^{-1}s^{-1}$ while other films by 7 mTorr, 20 mTorr of working pressure closed to metallic films. The films including the oxygen represent stoichiometric composition similar to the oxide. The transmittance of the film was over 85% in the visible light range regardless of the changes in working pressure and oxygen contents.
#Al doped ZnO #AZO) #Transparent Thin Film Transistor #TTFT) #RF magnetron sputtering #Oxygen content #working pressure

목차

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참고문헌 (16)

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Wang, Z. Y / 2005 / Effect of the variation of temperature on the structural and optical properties of AZO thin films prepared on Si (1 1 1) substrates using PLD / Vacuum 78:53~57 google schola Choi, B. K / 2006 / Optical characterization of AZO thin films deposited by Sol-gel Method / J. Mater. Sci: Mater. Electron 17:1011~1015 google schola Tun, C. J / 2006 / Enhanced Light Output of GaN-ased Power LEDs With Transparent Al-Doped AZO Current Spreading Layer / IEEE Photon. Technol. Lett 18:274~276 google schola Kuo, S. Y / 2006 / Effects of Doping Concentration and Annealing Temperature on Properties of Highly-oriented Al-dopoed AZO films / J. Cryst. Growth 287:78~84 google schola Zafar, S / 1955 / Characterization and analysis of AZO:Al deposited by reactive magnetron sputtering / J. Vac. Sci. Technol. A13(4):2177~2182 google schola

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