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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.1
- 수록면
- 318 - 322 (5page)
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In this paper, to establish growth technology of ZnO:Al thin films at low temperature applied to photoelectronic devices, ZnO:Al were prepared by RF magnetron sputtering on glass substrate at room temperature using different RF power with subsequent annealing process at different temperature in H₂ ambient. The resistivity of hydrogen-annealed ZnO:Al thin film at temperature of 300 ℃ was reduced to 8.32 × 10-4 Ωcm from 9.44 × 10-4 Ωcm which was optimal value for as-grown films. X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) revealed that improved electrical properties are ascribed to desorption of the negatively charged oxygen species from the grain boundary surfaces by the hydrogen annealing process.
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D. J. Kwak / 2008 / Discharge power dependence of structural and electrical properties of Al-doped ZnO conducting film by magnetron sputtering(for PDP) / Vacuum 83 (1) : 113
D. Song / 2008 / Effects of rf power on surface-morphological,structural and electrical properties of aluminium-doped zinc oxide films by magnetron sputtering / Applied Surfa
G. J. Fang / 2002 / Influence of post-deposition annealing on the properties of transparent conductive nanocrystalline ZAO thin films prepared by RF magnetron sputtering with
Hu-Jie Jin / 2008 / Realization and Analysis of p-Type ZnO:Al Thin Film by RF Magnetron Sputtering / Transactions on Electrical and Electronic Materials 9 (2) : 67 ~ 72
T. minami / 2008 / Present status and future prospects for development of non-or reduced-indium transparent conducting oxide thin films / Thin Solid Films 517 (4) : 1474 ~
D. Song / 2008 / Effects of rf power on surface-morphological,structural and electrical properties of aluminium-doped zinc oxide films by magnetron sputtering / Applied Surfa
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Hu-Jie Jin / 2008 / Realization and Analysis of p-Type ZnO:Al Thin Film by RF Magnetron Sputtering / Transactions on Electrical and Electronic Materials 9 (2) : 67 ~ 72
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