GaN 에피층의 급속 열처리 효과

최성재; 이원식

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자료유형: 학술저널

저자정보: 최성재 (경원대학교 IT대학 전자통신공학부 전자공학과) 이원식 (경원대학교 교양대학 자율전공학부)

저널정보: 한국인터넷방송통신학회 한국인터넷방송통신학회 논문지 한국인터넷방송통신학회 논문지 제8권 제6호

발행연도: 2008.1

수록면: 105 - 110 (6page)

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질소 분위기 하에서 GaN 에피층의 고온 급속 열처리 효과를 조사하였다. 열처리는 950도의 급속 열처리로를 이용하여 수행하였다. 급속 열처리에 따른 효과는 x선 회절을 통하여 연구하였다. 열처리 시간이 증가할수록 Bragg 피크는 각도가 큰 쪽으로 이동하였다. 피크의 FWHM은 열처리 시간이 증가함에 따라 약간의 증가 후 감소하였다가 다시 증가하였다. 시료는 적절한 조건 하에서 급속 열처리 후 구조적인 특성의 개선이 관측되었다. 시료의 결정성의 향상은 에피층의 격자 관련 요소들의 흐트러짐의 감소에 기인한다.

#급속 열처리 #에피층 #Bragg 피크 #x-선 회절

참고문헌 (21)

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J. Sik / 2001 / Band-gap energies, free carrier effects, and phonon modes in strained GaNAs/GaAs and GaNAs/InAs/GaAs superlattice heterostructures measured by spectroscopic ellipsometry / J. Appl. Phys 89:294

Soon-Ku Hong / 2002 / Control of crystal polarity in a wurtzite crystal: ZnO films grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy on GaN / Phys. Rev. B 65:115~331

Maria Losurdo / 2004 / Interplay between GaN polarity and surface reactivity towards atomic hydrogen / J. Appl. Phys 95:8408

S. A. Chevtchenko / 2007 / Study of SiNx and SiO2 passivation of GaN surfaces / J. Appl. Phys 101:1137019

Qian Sun / 2008 / High-temperature AlN interlayer for crack-free AlGaN growth on GaN / J. Appl. Phys 104:043516

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최성재

소속기관 가천대학교 전자공학과

주요연구분야 공학 > 컴퓨터학

논문수 10 이용수 73

이원식

소속기관 유도스타자동화 연구소

주요연구분야 복합학 > 과학기술학 공학 > 컴퓨터학

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