$N^+$이온주입된 사파이어 (0001)기판이 GaN epilayer에 미치는 영향

조용석 ,  변동진 ,  박용주 외 4명

한국재료학회 학술발표대회

2001 .01

GaN 성장을 위한 기판의 Ion Implantation 전처리에 관한 연구

이재석 ,  진정근 ,  변동진 외 3명

한국재료학회지

2004 .01

열처리를 통한 GaN박막의 응력완화 효과

강경태 ,  변동진 ,  강민구 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

2001 .01

기판의 이온빔 전처리에 의한 GaN 에피층의 특성연구

조용석 ,  박용주 ,  최원준 외 5명

한국재료학회 학술발표대회

2003 .01

RIB 처리된 사파이어 기판을 이용하여 MOCVD로 성장시킨 GaN의 열처리 효과

이상진 ,  변동진 ,  홍창희 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

2000 .01

GaN 성장을 위한 이온 주입된 사파이어 기판의 효과

이재석 ,  진정근 ,  강민구 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

2003 .01

Growth and Characterization of GaN epilayer Grown with of the Growth Temperature of GaN Nuclei Layer

이철로 ,  손성진 ,  임재영 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Effects of Growth Conditions of GaN Buffer Layer on the Properties of GaN Epilayer Grown by MOCVD

In Hwan Lee ,  Cheul Ro Lee ,  Seong Jin Son 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

활성화 이온빔 처리된 사파이어 기판상 MOCVD로 성장시킨 GaN의 열처리 효과

이상진 ,  변동진 ,  홍창희 외 1명

한국재료학회지

2001 .01

Self-Separation 방법을 적용한 고품질 Free-Standing GaN

손호기 ,  이영진 ,  김진호 외 3명

전기전자재료학회논문지

2016 .01

HVPE를 이용한 사파이어 기판 위에 GaN의 성장연구 ( Study of Thick GaN Film On Sapphire Using HVPE System )

이정욱 ,  유지범 ,  변동진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

HVPE를 이용한 사파이어 기판 위에 GaN의 성장연구 ( Study of Thick GaN Film On Sapphire Using HVPE System )

이정욱 ,  유지범 ,  변동진 외 1명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1996 .01

Electrical Transports of N-Type GaN Epilayers

정명구 ,  조현경 ,  이형재

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

GaN 완충층 두께가 GaN 에피층의 특성에 미치는 영향

조용석 ,  고의관 ,  박용주 외 4명

한국재료학회지

2001 .01

GaN 에피택셜 층의 열처리 효과

하민우 ,  석오균 ,  안우진 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

2012 .11

표면 가공 방법에 의한 GaN 기판의 제작과 특성

박기연 ,  이명희 ,  신동원 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1999 .01

PEMBE Growth of GaN Epilayers on MOCVD Grown GaN

S. K. Kang ,  H. K. Cho ,  M. W. Pa 외 3명

OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE

1997 .01

Characteristics of Be doped GaN growth using single GaN precursor

Gao ,  Cun-Xu ,  Yu 외 5명

한국재료학회 학술발표대회

2005 .01

Crystal Growth and Properties of GaN Layers on Sapphire Substrate

김선태 ,  문동찬 ,  최원진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01