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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
변영태 (한국과학기술연구원 광기술연구센터) 김선호 (한국과학기술연구원 광기술연구센터)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제16권 제10호
발행연도
2006.1
수록면
652 - 655 (4page)

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A direct wafer bonding process necessary for GaAs-on-insulator (GOI) fabrication with high thermal annealing temperatures was studied by using PECVD oxides between gallium arsenide and silicon wafers. In order to apply some uniform pressure on initially-bonded wafer pairs, a graphite sample holder was used for wafer bonding. Also, a tool for measuring the tensile forces was fabricated to measure the wafer bonding strengths of both initially-bonded and thermally-annealed samples. GaAs/$SiO_2$/Si wafers with 0.5-$\mu$m-thick PECVD oxides were annealed from $100^{\circ}C\;to\;600^{\circ}C$. Maximum bonding strengths of about 84 N were obtained in the annealing temperature range of $400{\sim}500^{\circ}C$. The bonded wafers were not separated up to $600^{\circ}C$. As a result, the GOI wafers with high annealing temperatures were demonstrated for the first time.
#GaAs-on-Insulator #GOI) #Wafer direct bonding #PECVD oxide #Bonding strength

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