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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제16권 제5호
발행연도
2003.1
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We prepared silicon on insulator(SOI) wafer pairs of Si/1800 -SiO2 1800 -SiO2/Si using wafer direct bonding method. Wafer pairs bonded at room-temperature were annealed by a normal furnace system or a fast linear annealing(FLA) equipment, and the micro-structure of bonding interfaces for each annealing method was investigated. Upper wafer of bonded pairs was polished to be 50 ㎛ by chemical mechanical polishing(CMP) process to confirm the real application. Defects and bonding area of bonded wafer pairs were observed by optical images. Electrical and mechanical properties were characterized by measuring leakage current for sweeping to 120 V, and by observing the change of wafer curvature with annealing process, respectively. FLA process was superior to normal furnace process in aspects of bonding area, I-V property, and stress generation.
#Silicon on insulator #SOI) #Wafer direct bonding #Fast linear annealing #Furnace annealing

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