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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제15권 제4호
발행연도
2002.1
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이 논문의 연구 히스토리 (5)

2002

전기로를 이용한 Si || SiO/SiN || Si 이종기판쌍의 직접접합
이상현 ,  이상돈 ,  서태윤 외 1명 한국재료학회지 2002.01 학술저널
사점굽힘시험법을 이용한 이종절연막 (Si/SiO||SiN/Si) SOI 기판쌍의 접합강도 연구
이상현 ,  송오성 한국재료학회지 2002.01 학술저널
열처리 방법에 따른 SiO-SiN SOI 기판쌍의 접합강도변화
이상현 ,  송오성 한국재료학회 학술발표대회 2002.01 학술대회자료
선형가열기를 이용한 Si∥SiO2/Si3N4∥Si 이종기판쌍의 직접접합
이상현 ,  송오성 ,  이상돈 전기전자재료학회논문지 2002.01 학술저널

2001

전기로를 이용한 $Si∥SiO_2/Si_3N_4∥Si$기판쌍의 직접접합
이상현 ,  이상돈 ,  서태윤 외 1명 한국재료학회 학술발표대회 2001.01 학술대회자료

초록· 키워드

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Direct bonded SOI wafer pairs with the heterogeneous insulating layers of SiO2-Si3N4 are able to apply to the micropumps and MEMS applications. Direct bonding should be executed at low temperature to avoid the warpage of the wafer pairs and inter-diffusion of materials at the interface. 10 cm-diameter 2000 Å-SiO2/Si(100) and 560 Å-Si3N4/Si(100) wafers were prepared, and wet cleaned to activate the surface as hydrophilic and hydrophobic states, respectively. Cleaned wafers were pre-mated with facing the mirror planes by a specially designed aligner in class-100 clean room immediately. We employed a heat treatment equipment so called fast linear annealing(FLA) with a halogen lamp to enhance the bonding of pre-mated wafers We kept the scan velocity of 0.08 mm/sec, which implied bonding process time of 125 sec/wafer pairs, by varying the heat input at the range of 320～550 W. We measured the bonding area by using the infrared camera and the bonding strength by the razor blade crack opening method, respectively. It was confirmed that the bonding area was between 80 % and to 95 % as FLA heat input increased. The bonding strength became the equal of 1000 ℃ heat treated Si∥SiO2/Si3N4∥Si pair by an electric furnace. Bonding strength increased to 2500 mJ/m2 as heat input increased, which is identical value of annealing at 1000 ℃-2 hr with an electric furnace. Our results implies that we obtained the enough bonding strength using the FLA, in less process time of 125 seconds and at lower annealing temperature of 400 ℃, comparing with the conventional electric furnace annealing.
#direct bonding #Si∥SiO2/Si3N4∥Si wafer pairs #fast linear annealing #heat input #heterogeneous bonding

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