Properties of HgCdTe / CdZnTe ( 211 ) B Epilayers Grown by MBE

Myung Soo Han ,  Byung Kwon Song ,  Yoo Bum Hou 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

MOVPE GROWTH OF HgCdTe EPILAYER WITH ARSENIC DOPING

Sang-Hee SUH ,  Jin-Sang KIM ,  Jong-Hyeong SONG 외 1명

한국표면공학회지

1996 .10

MBE법으로 성장된 CdTe(211)/Si 기판을 이용한 MOVPE HgCdTe 박막의 특성 향상

김진상 ,  서상희 ,  S.Sivananthan

센서학회지

2003 .01

HgCdTe 반도체 재료의 C-V 특성 계산

이상돈 ,  강형부 ,  김봉흡 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

1992 .07

Characteristics of CdTe Epilayers Grown on Different Treated Si Substrates by MBE

B. K. Song ,  M. S. Han ,  Y. S. Ryu 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

MBE

강태원

대한전자공학회 단기강좌

1986 .01

HgCdTe p-n 접합 다이오드의 제작

韓平熙 ,  金忠基 ,  李相敦 외 1명

전기학회논문지

1989 .08

MBE 를 이용한 성장조건에 따른 Mg-doped GaN 특성변화 조사

최아리 ,  김도진

한국재료학회 학술발표대회

2005 .01

HgCdTe 적외선 감지소자의 초정밀 절삭특성에 관한 연구

김효식 ,  양순철 ,  김명상 외 2명

한국정밀공학회 학술발표대회 논문집

2007 .06

HgCdTe 광 다이오드의 터널링 전류 계산 ( Tunneling Current Calculation in HgCdTe Photodiode )

박장우 ,  곽계달

전자공학회논문지-A

1992 .09

열처리 조건에 따른 HgCdTe 의 접합 특성 ( HgCdTe Junction Characteristics after the Junction Annealing Process )

정희찬 ,  김관 ,  이희철 외 2명

전자공학회논문지-A

1995 .02

Excimer Laser-Assisted In Situ Phosphorous Doped Si_(1-x)Ge_x Epilayer Activation

Jicheul Bae

[ETRI] ETRI Journal

2003 .08

몬테칼로 방법을 사용한 HgCdTe에서의 전자 전송 특성에 관한 연구 ( A Study on the Electron Transport Properties in HgCdTe using Monte Carlo Method )

유상동 ,  곽계달

전자공학회논문지-D

1998 .02

HgCdTe 이종접합 광다이오드의 수치해석 ( Numerical Analysis of HgCdTe Heterojunction Photodiodes )

조남홍 ,  곽계달

전자공학회논문지-D

1997 .07

MBE 방법으로 성장시킨 Si0.94Ge0.06 / Si Epilayer의 열처리시 열적안정성과 Relaxation Mechanism에 관한 연구

김흥습 ,  황윤택 ,  우상정 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

초정밀 가공기를 이용한 적외선 감지소자 HgCdTe의 절삭특성에 관한 연구

김효식 ,  양순철 ,  김명상 외 4명

한국기계가공학회지

2007 .12

초정밀 가공기를 이용한 적외선 감지소자 HgCdTe의 절삭특성에 관한 연구

김효식 ,  양순철 ,  김명상 외 4명

한국기계가공학회 춘추계학술대회 논문집

2007 .11

MBE에 의한 GaAs Epitaxial Layer 의 Su Doping효과 ( Su Doping Effect in GaAs films Grown by MBE )

강태원 ,  홍치유 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1985 .01

HgCdTe MIS 구조의 2중 절연막에 관한 연구 ( A Study on The Double Insulating LAyer for HgCdTe MIS Structure )

정진원 ,  이희철 ,  왕진석

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

MBE 기술 개발 동향

이재진 ,  맹성재 ,  김진섭

[ETRI] 전자통신동향분석

1987 .09