N-and P-MOSFETs woth CVD and Thermal Gate Oxides : Comparison of Performance and Reliability

Ahn, Jin-ho; Kwong, Dim-Lee

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자료유형: 학술저널

저자정보: Ahn, Jin-ho (Department of Materials Engineering, Hanyang University) Kwong, Dim-Lee (Microelectronics Research Center, Department of Electrical and Computer Engineering The University of Texas at Austin)

저널정보: 한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials Fabrication and Characterization of Advanced Materials 제2권 제3호

발행연도: 1995.1

수록면: 957 - 962 (6page)

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This paper reports the performance and reliability of both n-and p-channel MOSFETs with ultrathin$(65^{\circ}C)$ LPCVD gate oxides annealed in $N_2$ ambinet as compared to MOSFETs with thermal gate oxides. It is shown than n-and p-MOSFETs with CVD gate oxides ahve better initial device performance ($higher\;g_m$, current dirivability, and effective electron and hole mobilities) and enhanced device reiability(${\Delta}g_{m}$, ${\Delta}V_{th}$ and stress-induced GIDL enhancement) than the MOSFETs with thermal gate oxides. Furthemore, signigicantly improved time-dependent dielectric breakdown characteristics of CVD gate oxide has been demonstrated. Strainless CVD $SiO_2$ after proper post-deposition annealing and the film formation mechanism(deposited-on rather than grown from the substrate) are speculated to results in the improvements in performance and reliability of CVD oxide devices.

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Ahn, Jin-ho

소속기관 Dept. of Materials Science & Engineering, Hanyang Univ.

주요연구분야 공학 > 재료·에너지공학 > 재료공학

논문수 2 이용수 2

Kwong, Dim-Lee

소속기관 Microelectronics Research Center, Department of Electrical and Computer Engineering The University o

주요연구분야 공학 > 재료·에너지공학 > 재료공학

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