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논문 기본 정보
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- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.5
- 수록면
- 780 - 786 (7page)
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Gate oxide breakdown is a key mechanism limiting IC lifetime. In this paper, we examine the characteristics of time dependent dielectric breakdown (TDDB) for ultra-thin gate oxide based on percolation models. From fractal theory describing complex geometrical structures, we investigate the relationship between the gate oxide structure and the critical defect density in ultrathin gate oxide breakdown.
목차
Abstract
1. 서론
2. 게이트 옥사이드 고장에 대한 통계적 실험 모형
3. Critical Phenomena in Fractal Structure
4. 시뮬레이션과 결과
5. 결론
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