Ti-Ploycide 게이트에서 게이트산화막의 전연파괴특성

고종우 ,  고종우 ,  고종우 외 3명

한국재료학회지

1993 .01

산화전 분위기가 Gate Oxide 특성에 미치는 영향

주문식 ,  엄금용 ,  박미라 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1992 .01

The reliability analysis in gate oxide of MOSFET via percolation models

Mansoo Kim ,  Suk joo Bae

대한산업공학회 추계학술대회 논문집

2008 .11

MOSFET에서 Gate Oxide층의 교류 절연파괴 특성

박정구 ,  송정우 ,  고시현 외 4명

대한전기학회 학술대회 논문집

1999 .11

Fluorine Effects on NMOS Characteristics and DRAM Refresh

Deuk-Sung Choi

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2012 .03

Gate Oxide Thickness- and Channel Length-Dependent Subthreshold Swing Characteristics for Double-gate MOSFETs

Hak-Kee Jung ,  Ji-Hyeong Han ,  Choon-Shik Pa 외 1명

INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING

2011 .06

Ti-polycide gate의 gate oxide 신뢰성의 limitation 연구

이내인 ,  김영욱 ,  고종우 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1993 .01

Effect of Hydrogen Treatment on Electrical Properties of Hafnium Oxide for Gate Dielectric Application

Kyu-Jeong Choi ,  Woong-Chul Shin ,  Soon-Gil Yoon

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2001 .06

Characteristics of 0.1μm nMOSFETs with Different Channel Doping and Gate Oxide Thickness

Young Jin Choi

KITE JOURNAL OF ELECTRONICS ENGINEERING

1996 .01

An Analytical Model for the Effect of Graded Gate Oxide in MOSFET`s

김종식 ,  서광석

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

비대칭형 무접합 이중게이트 MOSFET에서 산화막 두께와 문턱전압이동 관계

정학기

전기전자학회논문지

2020 .03

Analysis of Tunneling Current for Gate Oxide Thickness of Sub-10 nm Asymmetric Double Gate MOSFET

Hakkee Jung

INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING

2015 .06

수소 및 중수소가 포함된 실리콘 산화막의전기적 스트레스에 의한 열화특성

이재성 ,  백종무 ,  이용현 외 2명

전기전자재료학회논문지

2005 .01

온도 변화에 따른 THIN OXIDE 악의 전기적 특성에 관한 연구

이앙구 ,  박성식 ,  최진석

대한전자공학회 학술대회

1986 .06

온도 변화에 따른 THIN OXIDE 막의 전기적 특성에 관한 연구 ( THE STUDY OF ELECTRIC CHARACTERISTIC ABOUT THIN OXIDE FILM AT THE VARIABLE TEMPERATURE )

최진석 ,  이앙구 ,  박성식

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

A Study on the Electrical Characteristics of Ultra Thin Gate Oxide

Gum-Yong Eom

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2004 .01

Analysis of Oxide Thickness Dependent Threshold Voltage of Asymmetric DGMOSFET

Hakkee Jung

INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING

2014 .06

N-and P-MOSFETs woth CVD and Thermal Gate Oxides : Comparison of Performance and Reliability

Ahn ,  Jin-ho ,  Kwong 외 1명

Fabrication and Characterization of Advanced Materials

1995 .01

SEA-OF-GATES

김진구

CAD기술특강

1989 .01

On the Gate Oxide Scaling of Sub-100nm CMOS Transistors

Seungheon Song ,  Jihye Yi ,  Woosik Kim 외 5명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2001 .06