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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.8
- 수록면
- 613 - 620 (8page)
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두께가 3 nm인 게이트 산화막을 사용한 n-MOSFET에 정전압 스트레스를 가하였을 때 관찰되는 SILC 및 soft breakdown 열화 및 이러한 열화가 소자 특성에 미치는 영향에 대해 실험하였다. 열화 현상은 인가되는 게이트 전압의 극성에 따라 그 특성이 다르게 나타났다. 게이트 전압이 (-)일 때 열화는 계면 및 산화막내 전하 결함에 의해 발생되었지만, 게이트 전압이 (+)일 때는 열화는 주로 계면 결함에 의해 발생되었다. 또한 이러한 결함의 생성은 Si-H 결합의 파괴에 의해 발생할 수 있다는 것을 증수소 열처리 및 추가 수소 열처리 실험으로부터 발견하였다. OFF 전류 및 여러 가지 MOSFET의 전기적 특성의 변화는 관찰된 결함 전하(charge-trapping)의 생성과 직접적인 관련이 있다. 그러므로 실험 결과들로부터 게이트 산화막으로 터널링되는 전자나 정공에 의한 Si 및 O의 결합 파괴가 게이트 산화막 열화의 원인이 된다고 판단된다. 이러한 물리적 해석은 기존의 Anode-Hole Injection 모델과 Hydrogen-Released 모델의 내용을 모두 포함하게 된다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 실험 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (17)
참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - D. J. DiMaria / 1995. / Mechanism for stress-induced leakage currents in thin silicon dioxide films 78 (6) : 3883 ~ 3894
[학술지(정기간행물)] - K. F. Schuegraf / 1994. / Hole injection SiO2 breakdown model for very low voltage lifetime extrapolation 41 (5) : 761 ~ 766
[학술지(정기간행물)] - E. Rosenbaum / Feb.1997 / Mechanism of stress-induced leakage current in MOS capacitors 44 : 317 ~ 323
[학술지(정기간행물)] - M. Houssa / 1998. / Model for the current-voltage cha -racteristics of ultrathin gate oxides after soft breakdown 84 (8) : 4351 ~ 4355
[학술지(정기간행물)] - E. M. Vogel / nov.2002. / Impact of the trapping of anode hot holes on silicon dioxide breakdown 23 : 667 ~ 669
[학술지(정기간행물)] - K. F. Schuegraf / 1994. / Hole injection SiO2 breakdown model for very low voltage lifetime extrapolation 41 (5) : 761 ~ 766
[학술지(정기간행물)] - E. Rosenbaum / Feb.1997 / Mechanism of stress-induced leakage current in MOS capacitors 44 : 317 ~ 323
[학술지(정기간행물)] - M. Houssa / 1998. / Model for the current-voltage cha -racteristics of ultrathin gate oxides after soft breakdown 84 (8) : 4351 ~ 4355
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