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저자정보
Kim, Woong-Sun (Department of Materials Science and Engineering, Hanyang University) Moon, Yeon-Keon (Department of Materials Science and Engineering, Hanyang University) Lee, Sih (Department of Materials Science and Engineering, Hanyang University) Kang, Byung-Woo (Department of Materials Science and Engineering, Hanyang University) Kwon, Tae-Seok (Department of Materials Science and Engineering, Hanyang University) Kim, Kyung-Taek (Department of Materials Science and Engineering, Hanyang University) Park, Jong-Wan (Department of Materials Science and Engineering, Hanyang University)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
발행연도
2009.1
수록면
546 - 549 (4page)

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In this paper, we investigated the effects of different source/drain (S/D) electrode materials in thin film transistors (TFTs) based on indium-gallium-zinc oxide (IGZO) semiconductor. A transfer length and effective resistances between S/D electrodes and amorphous IGZO thin-film transistors were examined. Intrinsic TFT parameters were extracted by the transmission line method (TLM) using a series of TFTs with different channel lengths measured at a low drain voltage. The TFTs fabricated with Cu S/D electrodes showed the lowest contact resistance and transfer length indicating good ohmic characteristics, and good transfer characteristics with a field-effect mobility (${\mu}_{FE}$) of 10.0 $cm^2$/Vs.
#amorphous oxide semiconductors #AOSs) #thin film transistors #TFTs) a-IGZO #contact resistance #transmission line method #TLM)

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