Amorphous Oxide Semiconductor: Factors Determining TFT Performance and Stability

Kamiya, Toshio; Nomura, Kenji; Hosono, Hideo

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: Kamiya, Toshio (Materials and Structures Laboratory, Tokyo Inst. Tech.) Nomura, Kenji (ERATO-SORST, Japan Science and Technology Agency) Hosono, Hideo (Materials and Structures Laboratory, Tokyo Inst. Tech.)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display

발행연도: 2009.1

수록면: 322 - 325 (4page)

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Amorphous oxide semiconductors (AOSs) are expected as new channel materials in TFTs for largearea and/or flexible FPDs, and several prototype displays have been demonstrated in these five years since the first report of AOS TFT. In this paper, we review fundamental materials science of AOSs that have been clarified to date in connection with operation characteristics of AOS TFTs.

#Amorphous oxide #thin-film transistor #electronic structure #transport

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Kamiya, Toshio

소속기관 Materials and Structures Laboratory, Tokyo Inst. Tech.

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 4 이용수 5

Nomura, Kenji

소속기관 ERATO-SORST, Japan Science and Technology Agency

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 4 이용수 5

Hosono, Hideo

소속기관 Materials and Structures Laboratory, Tokyo Inst. Tech.

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 5 이용수 5

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